团队介绍 - GaN基高电子迁移率晶体管、肖特基二级管等功率芯片

      基于AlGaN/GaN 异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)与传统硅基功率器件相比，具有高频下功耗更低、开关性能更优异、体积更小等诸多优点，因此可显著降低电力系统的能耗，目前已应用于电源充电器、家电、汽车电力控制单元等领域。团队主要针对传统GaN HEMT等器件漏电流高、界面态密度大等缺点，开发新一代新型自隔离功率电子器件，隔离漏电流低至3×10^-14A，低于领域内报道的最好水平1 个数量级以上，器件开关比大于10⁸，亚阈值斜率为61mV/dec，接近理论极限值60 mV/dec；开发新型AlN背势垒、薄势垒增强型功率器件，为下一代单片集成电路的设计和开发奠定了基础。