团队利用良好的设备能力，在高通量材料基因组领域，承担了科技部重大研发计划，成功开发了世界上第一台高通量实验的CVD设备，实现了x100的通量，同时也开发了国内领先的高通量喷墨打印系统，用于各种器件的开发。
另外，团队还研制出国内首台中压等离子体化学气相沉积系统（世界第二台）。较传统的热CVD，该设备可以实现单晶硅x10的生长速度，低400°C的生长温度，以及高一倍的气体转化率。该设备还可以用于各类硅材料的快速低温生长，和垂直石墨烯墙等新材料的开发，应用广泛。
团队还利用中科院设备项目，搭建具有外加能量场辅助的温度更高的MOCVD设备，旨在解决高Al组份，含B组份的GaN材料的高质量外延生长。
