深紫外发光二级管（DUV-LED）在杀菌消毒、保密通讯及生物质检测等领域具有重要的应用前景，是替代含汞气体灯的唯一选择。针对AlGaN材料外延位错密度高、掺杂效率低、表面形貌差的问题，开发基于图形化衬底、高斜切角衬底的MOCVD外延工艺，基于高斜切角衬底实现载流子局域化现象，从而提升紫外LED内量子效率至90%以上，达到领域领先水平。首次制备了基于蓝宝石衬底的横向极性结构紫外LED，证明了利用极性调控提升紫外LED发光效率的新途径，并构建了“半导体三维能带理论”，成为描述第三代半导体光电子、电力电子器件的新的理论工具。团队在紫外光电子领域的研究方向包括紫外LED、激光器、新型日盲紫外探测器。
