郭炜
博士，研究员，博士生导师，光电信息材料与器件实验室副主任
研究方向：
氮化物宽禁带、超宽禁带半导体材料外延
AlGaN紫外光电子器件
GaN功率器件及集成
电话：0574-87913275
电子邮箱：guowei@nimte.ac.cn
本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学。曾担任美国应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所，先后任“特聘青年研究员”、副研究员、研究员。长期从事第三代半导体（III族氮化物）材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金、面上、青年基金、科技部重点研发计划、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青、宁波市重大专项等课题。在Appl. Phys. Lett., Optica, Photon. Res., Opt. Lett., Adv. Funct. Mater., 等领域权威期刊上发表论文90余篇，引用3000余次、h因子24。申请中国发明专利30余项，授权16项。 担任《information & Functional Materials》,《光子学报》等期刊青年编委，应邀在全国宽禁带半导体会议、全国MOCVD学术会议等多个学术会议中作邀请报告。