发展基于超宽禁带半导体的高性能功率电子器件和深紫外光电子器件，在信息、新能源和工业互联网等领域应用广泛，是提升国家核心竞争力和支撑国民经济发展的支柱性产业。以氧化镓为代表的超宽禁带氧化物半导体在以上领域优势独特，具有广阔的市场前景。本团队以镓基氧化物半导体为关键材料，结合理论设计、材料生长、性能表征和器件应用的全链条研发设计，掌握镓基氧化物半导体的外延生长、性能调控与器件设计的核心技术，探索实现高性能电子器件产业化应用的实施方案。目前，团队已获得国家与浙江省自然科学基金、中国科学院人才专项等多项省部级项目支持，搭建有先进的氧化物半导体薄膜制备与表征平台，在氧化镓介稳态相变调控与载流子输运调控等方面取得了一系列成果，有望进一步实现具有行业先进水平的电子器件的成功研发与应用示范。
