郭炜 博士 , 项目研究员，博士生导师
研究方向：
- 氮化物宽禁带半导体材料
- AlGaN基紫外光电子器件
- GaN HEMT及新型电力电子器件
电子邮箱：guowei@nimte.ac.cn
郭炜，项目研究员，博士生导师。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学宽禁带实验室，师从宽禁带半导体领域知名教授Zlatko Sitar。曾于全球最大的半导体设备供应商应用材料有限公司任研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所，先后任“特聘青年研究员”、春蕾副研究员、项目研究员。长期从事第三代半导体（III族氮化物）材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金联合基金、面上、青年基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青、宁波市“科技创新2025”重大专项等课题。以第一作者/通讯作者在Adv. Func. Mater., Optica, Opt.Lett., Appl. Phys. Lett., Appl. Phys. Exp.等光学、物理权威期刊上发表论文30余篇，合作论文近40篇。引用1500余次(Google Scholar)，h因子21。申请中国发明专利20余项，授权8项。应邀在多个国际会议和学术机构作邀请报告。郭炜研究员是中科院青年创新促进会会员，并获得了宁波市“3315 创新团队计划”人才称号、浙江省“钱江人才”称号，《光子学报》青年编委。