郭炜 博士 , 项目研究员,博士生导师
研究方向:
1.氮化物宽禁带半导体材料外延
2.AlGaN基紫外光电子器件
3.GaN HEMT及新型电力电子器件
电话:0574-86325762
电子邮箱:guowei@nimte.ac.cn
郭炜,项目研究员,博士生导师。本科毕业于上海交通大学,博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学宽禁带实验室,导师Zlatko Sitar。博士毕业后加入全球最大的半导体设备供应商应用材料有限公司任研发工程师,2016年加入中科院宁波材料所,先后任“特聘青年研究员”、春蕾副研究员、项目研究员。长期从事第三代半导体(III族氮化物)材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金、面上、青年基金、科技部重点研发计划、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青、宁波市“科技创新2025”重大专项等课题。在Adv. Funct. Mater., Optica, Appl. Phys. Lett.等光学、物理类权威期刊上发表论文80余篇,引用共1800余次(谷歌学术)、h因子24。近年来,申请人围绕AlGaN载流子局域化能力弱、紫外LED外量子效率低等领域瓶颈问题开展基础研究,在氮化物极性调控和限阈特性研究、器件量子结构设计、新型p电极开发等领域取得了一系列领先成果并获得了国内外同行的广泛关注。申请中国发明专利30余项,授权10项。申请人入选了中科院青年创新促进会并担任青促会化材分会理事会委员,获得了浙江省“钱江人才”、宁波市领军人才、“3315创新团队计划”人才等称号。